産品中心(xin)
SiC MOS
産品性能:耐壓65-1200V,內阻低至80mΩ
優勢特點(dian):高頻高傚,高耐壓,耐高溫,高可靠性;可以實現節能降耗,小(xiao)體積,低重量,高功率(lv)密度。
應用領域:儲能(neng)/光伏(fu)/逆變(bian)/車載DC/DC/CDU係統集成
産品選型
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package |
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package | |
| ASCM30N120XD | ![]() | N | 1200 | 80 | 30 | TO-247-4 |
| ASCM60N120XD | ![]() | N | 1200 | 40 | 60 | TO-247-4 |




