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GaN MOS

産品(pin)性能:耐壓650V,內阻低至100mΩ
優勢(shi)特點(dian):高頻高傚,高耐壓,耐高溫,高可靠性;可以實現(xian)節能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
應用領(ling)域:氮化鎵鋰電池充電器/PD快充/大功率適配器

産品選型

Part No.ChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
Part No.PDFChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
ASDM9GN65TEN650±202.0230950021.5DFN8*8
ASDM10GN65PN650-10~71.016036010712TO-220
ASDM11GN65TEN650±202.02701149012DFN8*8
ASDM13GN65PN650±202.02701349012TO-220
ASDM15GN65PN650-10~71.0100210151153TO-220
ASDM15GN65TEN650-10~71.0100210151233DFN8*8
ASDM18GN65TEN650±204.01001860638DFN8*8
ASDM23GN65PN650±202.01502350012TO-220
ASDM23GN90PN900±204.51752360638TO-220

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深圳市南(nan)山(shan)區桃(tao)源街道學苑大(da)道1001號南山智(zhi)園A3棟5樓

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