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SiC MOS

産品性能:耐壓65-1200V,內阻(zu)低至(zhi)80mΩ
優勢特點:高頻高傚,高耐壓,耐高溫,高可靠(kao)性(xing);可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
應用領域(yu):儲能/光伏(fu)/逆變/車載DC/DC/CDU係(xi)統集(ji)成

産品選型(xing)

Part No.ChannelVDS (V)RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10VID (A)     Tc=25℃Package
Part No.PDFChannelVDS (V)RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10VID (A)     Tc=25℃Package
ASCM30N120XDN12008030TO-247-4
ASCM60N120XDN12004060TO-247-4

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