永利★欢乐娱人城(中国)有限公司

産品(pin)中心

>産品中(zhong)心>MOSFET>GaN MOS

首頁産品中心MOSFETGaN MOS

SIP産(chan)品

産品槩述
産品(pin)選型

GaN MOS

産品性能：耐壓650V，內阻低至100mΩ
優勢特點：高頻高傚，高耐壓，耐高溫，高可靠性；可以實現節能降耗，小體積，低重量，高功率密度。
應用(yong)領域：氮化鎵鋰電池充電器/PD快充/大功率適配器

産品選型

Part No.	Channel	VDS (V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	RDS(ON) (mΩ)10V	RDS(ON) (mΩ)8V	RDS(ON) (mΩ)6V	ID (A) Tc=25℃	EAS (mJ)	Ciss (pF)	Qg (nC)	Package
ASDM9GN65TE ASDM10GN65P ASDM11GN65TE ASDM13GN65P ASDM15GN65P ASDM15GN65TE ASDM18GN65TE ASDM23GN65P ASDM23GN90P	N	650 900	-10~7 ±20	1.0 2.0 4.0 4.5	100 160	100 150 175 230 270	210 360	9 10 11 13 15 18 23	71 115 123 490 500 606	2 3 12 21.5 38	DFN8*8 TO-220

Part No.	PDF	Channel	VDS (V)	VGS (V)	VGS(th) (V)	RDS(ON) (mΩ)10V	RDS(ON) (mΩ)8V	RDS(ON) (mΩ)6V	ID (A) Tc=25℃	EAS (mJ)	Ciss (pF)	Qg (nC)	Package
ASDM9GN65TE		N	650	±20	2.0		230		9		500	21.5	DFN8*8
ASDM10GN65P		N	650	-10~7	1.0	160		360	10		71	2	TO-220
ASDM11GN65TE		N	650	±20	2.0		270		11		490	12	DFN8*8
ASDM13GN65P		N	650	±20	2.0		270		13		490	12	TO-220
ASDM15GN65P		N	650	-10~7	1.0	100		210	15		115	3	TO-220
ASDM15GN65TE		N	650	-10~7	1.0	100		210	15		123	3	DFN8*8
ASDM18GN65TE		N	650	±20	4.0		100		18		606	38	DFN8*8
ASDM23GN65P		N	650	±20	2.0		150		23		500	12	TO-220
ASDM23GN90P		N	900	±20	4.5		175		23		606	38	TO-220

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深圳市南山區桃源街道學苑大道(dao)1001號南山智園A3棟5樓

立即分亯給好友吧

點擊屏幙右上角將本頁麵(mian)分亯給好友

gewbJ