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SiC MOS

産品性能：耐壓65-1200V，內阻低至80mΩ
優勢特點：高頻高傚，高耐壓，耐高溫，高可靠性；可以實現節能降耗，小體積，低重量(liang)，高功率密(mi)度。
應(ying)用領域：儲能/光伏/逆變/車載DC/DC/CDU係統集(ji)成

産品選型

Part No.ChannelVDS (V)RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10VID (A)     Tc=25℃Package
Part No.PDFChannelVDS (V)RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10VID (A)     Tc=25℃Package
ASCM30N120XDN12008030TO-247-4
ASCM60N120XDN12004060TO-247-4

0755-86970486

www.asdsemi.cn

深(shen)圳市南山區(qu)桃源街(jie)道學苑大(da)道1001號南山(shan)智園A3棟5樓

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