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首(shou)頁産品中心MOSFETGaN MOS
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GaN MOS

産(chan)品(pin)性(xing)能:耐壓(ya)650V,內(nei)阻低至100mΩ
優勢特點:高頻高(gao)傚,高耐壓,耐高溫,高可靠性;可(ke)以實現節能降耗,小體積,低重(zhong)量,高功率密度。
應用領(ling)域:氮(dan)化鎵鋰電池充電器/PD快充/大(da)功率適配器(qi)

産品選型

Part No.ChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
Part No.PDFChannelVDS (V)VGS (V)VGS(th) (V)RDS(ON) (mΩ)10VRDS(ON) (mΩ)8VRDS(ON) (mΩ)6VID (A) Tc=25℃EAS (mJ)Ciss (pF)Qg (nC)Package
ASDM9GN65TEN650±202.0230950021.5DFN8*8
ASDM10GN65PN650-10~71.016036010712TO-220
ASDM11GN65TEN650±202.02701149012DFN8*8
ASDM13GN65PN650±202.02701349012TO-220
ASDM15GN65PN650-10~71.0100210151153TO-220
ASDM15GN65TEN650-10~71.0100210151233DFN8*8
ASDM18GN65TEN650±204.01001860638DFN8*8
ASDM23GN65PN650±202.01502350012TO-220
ASDM23GN90PN900±204.51752360638TO-220

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