産品中心
SiC MOS
産(chan)品性能:耐壓(ya)65-1200V,內阻低至80mΩ
優勢特點(dian):高(gao)頻高傚,高耐壓,耐高溫,高可靠(kao)性;可以實現節能降耗,小體積,低重量,高功率密度。
應用(yong)領域:儲能/光伏/逆變/車載DC/DC/CDU係統集成
産品選型
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package |
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package | |
| ASCM30N120XD | ![]() | N | 1200 | 80 | 30 | TO-247-4 |
| ASCM60N120XD | ![]() | N | 1200 | 40 | 60 | TO-247-4 |




