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SiC MOS
産品性能(neng)：耐壓65-1200V，內阻低至80mΩ
優(you)勢(shi)特(te)點：高頻高傚，高耐壓，耐高溫(wen)，高可靠性；可以實現節能降耗，小體積，低重量，高功率密度。
應用領域：儲能/光伏/逆變/車載DC/DC/CDU係統集(ji)成
産品選型(xing)
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package |
| Part No. | Channel | VDS (V) | RDS(ON) (mΩ) Typ. at VGS=10V | ID (A) Tc=25℃ | Package | |
| ASCM30N120XD |  | N | 1200 | 80 | 30 | TO-247-4 |
| ASCM60N120XD | | N | 1200 | 40 | 60 | TO-247-4 |
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